磷化銦襯底晶片 磷化銦（InP）作為一種性能優(yōu)異的半導體材料，可在大功率高溫度下工作，且性能穩(wěn)定。主要應用于光纖通訊及微電子領域，包括光纖通訊、無線網(wǎng)絡、手機、藍牙通訊、衛(wèi)星通訊微波領域，以及射頻集成電路等。可按客戶要求定制，具體參數(shù)可看圖或聯(lián)系客服。 產(chǎn)品簡介 性狀：瀝青光澤的深灰色晶體， 閃鋅礦結(jié)構(gòu)。 熔點：1070℃。常溫下帶寬（Eg=1.35 eV）。熔點下離解壓為2.75MPa。 溶解性：極微溶于無機酸。 介電常數(shù)：10.8 電子遷移率：4600cm2/(V·s) 空穴遷移率：150cm2/(V·s) 制備：具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。 產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 單晶 InP 備注 外形尺寸 2" , 3", 4" 客戶要求 厚度 Dia2" X 500μm(單拋或雙拋) Dia3" X 500μm(單拋) Dia4" X 635μm（單拋） 晶向 100 客戶要求 摻雜 None；Sn；S；Fe：Zn 硬度 3.0莫氏硬度 密度 4.78 g/cm3 導電類型 N；N；N；Si；P 折射率 3.45 載流子濃度cm-3 1-2x1016 ，1-3x1018 1-4x1018 ，6-4x1018 位錯密度cm-2 小于5x104 生長方法 LEC 溫度 1072℃ 彈性模量 7.1E11dyn Cm-2