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砷化鎵襯底晶片 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性良好等優(yōu)越特性，廣泛應(yīng)用于光電子和微電子工業(yè)。在光電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LED（發(fā)光二極管）、LD（激光器）、光伏器等；在微電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。