砷化鎵襯底晶片 砷化鎵（GaAs）是一種半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性良好等優越特性，廣泛應用于光電子和微電子工業。在光電子工業領域應用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LED（發光二極管）、LD（激光器）、光伏器等；在微電子工業領域應用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導體場效應管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質結雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。