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碳化硅晶片主要用于肖特基二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)型晶體管、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管的制作。 以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的 代和第二代半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展，推動了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限，這些半導(dǎo)體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作，不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。因此下一代半導(dǎo)體材料呼之欲出，碳化硅(SiC)材料成為了第三代半導(dǎo)體材料的代表。碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導(dǎo)率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性。 SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍公、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導(dǎo)體的主流。 第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。和 代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高飽和電子遷移速率和高鍵合能等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景，在寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低50%以上的能量損失，醉高可以使裝備體積減小75%以上，對人類科技的發(fā)展具有里程碑的意義。 森爍科技可批量化為客戶提供進口、國產(chǎn)的高質(zhì)量導(dǎo)電(Conductive)、半絕緣（Semi-insulating）、HPSI（High Purity Semi-insulating）的碳化硅襯底片；此外可以為客戶提供同質(zhì)、異質(zhì)碳化硅外延片；也能根據(jù)客戶特定需求定制外延片，并不限起訂量。