鍺襯底晶片 Ge Substrate Wafers 鍺單晶片是重要的半導體襯底材料。主要用于地面聚光光伏電站（CPV）、空間太陽能電池板以及超高亮度LED襯底材料。 產(chǎn)品主要廣泛應用于太陽能電池和地面高倍聚光太陽能電站等，其發(fā)電效率為硅片數(shù)倍。公司可提供低位錯或零位錯鍺襯底，規(guī)格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根據(jù)客戶需求，定制特殊規(guī)格鍺襯底片。 產(chǎn)品簡介 鍺晶片具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發(fā)展超過重要作用。鍺的熔密度5.32克／厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。鍺的發(fā)展仍具有很大的潛力。 產(chǎn)品規(guī)格說明 外形尺寸2"~12" 純度≥99.999% 晶體結構：單晶/多晶 導電類型：N/P 直徑：50～300mm/多晶380mm 電阻率：5～40 Ω·cm （客戶要求） 平整度 ≤20μm 垂直度 小于 5′ 倒角 0.2～1mm 破邊 ≤0.5mm 厚度：客戶要求 表面處理：拋光/非拋光（客戶要求）