江蘇麗雋功率半導體有限公司（以下簡稱“公司”）成立于2015年1月，是一家從事功率半導體器件和集成電路設計、芯片制造、封裝測試、終端銷售與服務為主的高新技術企業、江蘇省專精特新中小企業、無錫市準獨角獸企業。公司聯合創始人包括多名從事功率半導體設計制造20年以上工作資歷的人士，并與技術、歷史悠久的半導體公司德律風根（TFSS）在技術上有緊密合作。 公司以能工業級產品市場為導向，與半導體業界的代工資源深度合作，在MOSFET工藝平臺、IGBT工藝平臺、BCD工藝平臺、BiCMOS工藝平臺上為客戶提供的半導體產品和競爭力的高能效功率解決方案。公司立足于自主創新，擁有“麗雋半導體”、“PIP”等自主產品品牌；同時在6/8/12英寸代工平臺的功率器件和集成電路設計及制造工藝方面，擁有多項設計和工藝制造相關專利；此外還與晶圓廠戰略合作，搭建了具備自主知識產權的特種功率器件和第三代半導體產品的設計及工藝制造平臺，當前已具備SiC/GaN MOSFET開發和制造能力。 公司自主研發的產品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等已被廣泛應用于消費電子、智能家居、有線/無線通信、光伏逆變器、工業控制、儲能電源、新能源汽車、電網及軌道交通等領域。公司的核心產品包括特高壓和超高壓平面MOSFET、中低壓普通溝槽柵MOSFET、屏蔽柵深溝槽MOSFET、SJ/CoolMOS以及IGBT與FRD等多種系列的功率半導體產品，多個優勢產品的技術參數可對標國際知名品牌，性能指標國內，特別是在工業領域可實現進口替代。 為確保產品性能，公司建有的研發實驗室，具備直流特性檢測、動態特性檢測、高溫反偏、高溫柵偏、存儲可靠性試驗等能力以及整機應用測試能力。2023年獲評為無錫市高性能功率器件工程技術研究中心。 2022年公司完成了5500萬元融資，此輪融資將繼續深化公司在研發方面的投入，為實現創新開啟新征程。 核心產品：MOSFET 1.Planar MOSFET: 耐壓范圍：60~1500V 電流范圍：1~90A 應用領域： 消費電子、工業電源、DC/DC轉 換器、電機控制器、光伏逆變、 變頻器、電網、軌道交通等。 2.Trench MOSFET: 耐壓范圍：30~80V 電流范圍：50~300A 應用領域： 大功率工業電源、PD快充、電機驅 動和控制 、DC/DC 轉換器、 UPS、 逆變及電池保護等領域。 3.SGT MOSFET: 耐壓范圍：30~250V 電流范圍：30~250A 應用領域： PD快充、PC服務器、光伏逆變、 儲能BMS管理、新能源汽車 OBC等。 4.COOL MOSFET: 耐壓范圍：600~800V 電流范圍：4.7~47A 應用領域： 工業及汽車應用SMPS、電池驅動型 電機，逆變器，PC服務器，UPS等。 MOS-Planar(特高壓平面MOS) 耐壓等級：800~1500V 產品描述： 高壓、大電流系列MOSFET采用的平面結構設計和更優的工藝制程，擁有更優的產品參數。 應用領域： 大功率不間斷電源、大功率工業電源、光伏風電逆變器、儲能電源、智能電網等領域。 800~1500V/1~100A產品性能參數指標完全實現進口替代，處于國內地位，具有極強的競爭優勢。 MOS-Planar(超高壓平面MOS) 耐壓等級：1600~3000V 產品描述： 采用麗雋的PI終端工藝和優化的柵氧工藝制程，擁有更低導通電阻，更低的柵極電荷，良好的開關特性，提高了產品可靠性和穩定性。 應用領域： 電容器放電單元、軌道交通、高壓輸變電等領域。 MOS-Trench 耐壓等級：30~80V 產品描述： 采用的制程工藝和結構設計，具有更低的內阻，更優異的抗干擾能 力，更小柵電荷，開關速度快，可有效減小系統損耗，提高系統效率。 l應用領域： 電池管理系統、電機驅動、AC/DC同步整流、消費類電子等領域。 MOS-SGT 耐壓等級：30~250V 產品描述： 采用了的工藝制造技術、更優的工藝條件、精細優化的器件結構， 擁有更低的內阻與超低的柵極電荷（Qg），采用新型Clip封裝工藝進一 步提高系統的功率密度與效率。 應用領域： 電機驅動、電池管理系統、開關電源（SMPS）同步整流、新能源汽車 OBC、其他DC/DC等領域。 MOS-COOL MOS 耐壓等級：600~800V 產品描述： 具有更低的導通電阻，的柵極電荷，優異的開關速度等優點。 l應用領域： 廣泛應用于家用電器驅動、各類電源產品、新能源汽車充電樁及光伏逆變 等領域。