江蘇麗雋功率半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）成立于2015年1月，是一家從事功率半導(dǎo)體器件和集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省專精特新中小企業(yè)、無(wú)錫市準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)。公司聯(lián)合創(chuàng)始人包括多名從事功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造20年以上工作資歷的人士，并與技術(shù)、歷史悠久的半導(dǎo)體公司德律風(fēng)根（TFSS）在技術(shù)上有緊密合作。 公司以能工業(yè)級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)為導(dǎo)向，與半導(dǎo)體業(yè)界的代工資源深度合作，在MOSFET工藝平臺(tái)、IGBT工藝平臺(tái)、BCD工藝平臺(tái)、BiCMOS工藝平臺(tái)上為客戶提供的半導(dǎo)體產(chǎn)品和競(jìng)爭(zhēng)力的高能效功率解決方案。公司立足于自主創(chuàng)新，擁有“麗雋半導(dǎo)體”、“PIP”等自主產(chǎn)品品牌；同時(shí)在6/8/12英寸代工平臺(tái)的功率器件和集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝方面，擁有多項(xiàng)設(shè)計(jì)和工藝制造相關(guān)專利；此外還與晶圓廠戰(zhàn)略合作，搭建了具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的特種功率器件和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及工藝制造平臺(tái)，當(dāng)前已具備SiC/GaN MOSFET開(kāi)發(fā)和制造能力。 公司自主研發(fā)的產(chǎn)品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等已被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家居、有線/無(wú)線通信、光伏逆變器、工業(yè)控制、儲(chǔ)能電源、新能源汽車、電網(wǎng)及軌道交通等領(lǐng)域。公司的核心產(chǎn)品包括特高壓和超高壓平面MOSFET、中低壓普通溝槽柵MOSFET、屏蔽柵深溝槽MOSFET、SJ/CoolMOS以及IGBT與FRD等多種系列的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，多個(gè)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)可對(duì)標(biāo)國(guó)際知名品牌，性能指標(biāo)國(guó)內(nèi)，特別是在工業(yè)領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。 為確保產(chǎn)品性能，公司建有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，具備直流特性檢測(cè)、動(dòng)態(tài)特性檢測(cè)、高溫反偏、高溫柵偏、存儲(chǔ)可靠性試驗(yàn)等能力以及整機(jī)應(yīng)用測(cè)試能力。2023年獲評(píng)為無(wú)錫市高性能功率器件工程技術(shù)研究中心。 2022年公司完成了5500萬(wàn)元融資，此輪融資將繼續(xù)深化公司在研發(fā)方面的投入，為實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新開(kāi)啟新征程。 核心產(chǎn)品：MOSFET 1.Planar MOSFET: 耐壓范圍：60~1500V 電流范圍：1~90A 應(yīng)用領(lǐng)域： 消費(fèi)電子、工業(yè)電源、DC/DC轉(zhuǎn) 換器、電機(jī)控制器、光伏逆變、 變頻器、電網(wǎng)、軌道交通等。 2.Trench MOSFET: 耐壓范圍：30~80V 電流范圍：50~300A 應(yīng)用領(lǐng)域： 大功率工業(yè)電源、PD快充、電機(jī)驅(qū) 動(dòng)和控制 、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、 UPS、 逆變及電池保護(hù)等領(lǐng)域。 3.SGT MOSFET: 耐壓范圍：30~250V 電流范圍：30~250A 應(yīng)用領(lǐng)域： PD快充、PC服務(wù)器、光伏逆變、 儲(chǔ)能BMS管理、新能源汽車 OBC等。 4.COOL MOSFET: 耐壓范圍：600~800V 電流范圍：4.7~47A 應(yīng)用領(lǐng)域： 工業(yè)及汽車應(yīng)用SMPS、電池驅(qū)動(dòng)型 電機(jī)，逆變器，PC服務(wù)器，UPS等。 MOS-Planar(特高壓平面MOS) 耐壓等級(jí)：800~1500V 產(chǎn)品描述： 高壓、大電流系列MOSFET采用的平面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和更優(yōu)的工藝制程，擁有更優(yōu)的產(chǎn)品參數(shù)。 應(yīng)用領(lǐng)域： 大功率不間斷電源、大功率工業(yè)電源、光伏風(fēng)電逆變器、儲(chǔ)能電源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。 800~1500V/1~100A產(chǎn)品性能參數(shù)指標(biāo)完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，處于國(guó)內(nèi)地位，具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 MOS-Planar(超高壓平面MOS) 耐壓等級(jí)：1600~3000V 產(chǎn)品描述： 采用麗雋的PI終端工藝和優(yōu)化的柵氧工藝制程，擁有更低導(dǎo)通電阻，更低的柵極電荷，良好的開(kāi)關(guān)特性，提高了產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性。 應(yīng)用領(lǐng)域： 電容器放電單元、軌道交通、高壓輸變電等領(lǐng)域。 MOS-Trench 耐壓等級(jí)：30~80V 產(chǎn)品描述： 采用的制程工藝和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有更低的內(nèi)阻，更優(yōu)異的抗干擾能 力，更小柵電荷，開(kāi)關(guān)速度快，可有效減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率。 l應(yīng)用領(lǐng)域： 電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、AC/DC同步整流、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。 MOS-SGT 耐壓等級(jí)：30~250V 產(chǎn)品描述： 采用了的工藝制造技術(shù)、更優(yōu)的工藝條件、精細(xì)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)， 擁有更低的內(nèi)阻與超低的柵極電荷（Qg），采用新型Clip封裝工藝進(jìn)一 步提高系統(tǒng)的功率密度與效率。 應(yīng)用領(lǐng)域： 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)、開(kāi)關(guān)電源（SMPS）同步整流、新能源汽車 OBC、其他DC/DC等領(lǐng)域。 MOS-COOL MOS 耐壓等級(jí)：600~800V 產(chǎn)品描述： 具有更低的導(dǎo)通電阻，的柵極電荷，優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。 l應(yīng)用領(lǐng)域： 廣泛應(yīng)用于家用電器驅(qū)動(dòng)、各類電源產(chǎn)品、新能源汽車充電樁及光伏逆變 等領(lǐng)域。