產(chǎn)品介紹
TAGORE TECHNOLOGY INC泰高科技公司簡介
泰高（TAGORE）總部位于美國芝加哥地區(qū)，泰高是從整流公司(IR）分離出來的，從在IR開始就研制并銷售的氮化鎵芯片，擁有世界的氮化鎵芯片研發(fā)團隊，是氮化鎵芯片及綜合解決方案的供貨商。氮化鎵芯片已經(jīng)被超過50家大公司廣泛采用，持續(xù)不斷推出更多、更好、集成度更高的氮化鎵功率芯片。
泰高（TAGORE）是基于氮化鎵技術(shù)的射頻及功率元件及方案主要供貨商，所有產(chǎn)品均符合相關(guān)工業(yè)及標(biāo)準，所有產(chǎn)品均符合RoHS的無鉛要求，泰高擁有一個可靠、負責(zé)、世界的質(zhì)量控制體系，泰高氮化鎵元件的可靠性已經(jīng)被質(zhì)量驗證測試及用戶使用證明，主要用戶群集中在通訊、電源、醫(yī)療、航空航天及軍事等領(lǐng)域。
GaN: 氮化鎵相對硅元件的關(guān)鍵優(yōu)勢
1. 低門電容/充電電阻
2. 快速開關(guān)時間，高開關(guān)頻率
3. 降低門極驅(qū)動損耗
4. 低輸出電容/充電電阻
5. 低開關(guān)損耗
6. 低傳導(dǎo)損耗，低RDSON
7. 無體二極管，零QRR
8. 無反向恢復(fù)損耗
9. 降低開關(guān)狀態(tài)電路擾動及EMI
10. Radiation Resistant （抗輻射) TID>10.8kGy (1000.8kRad),SEE>300MeV）
主要產(chǎn)品：
一.Power Management（功率元件）
?Integrated 650V GaN Power FET + Driver
（650V 功率 FET 加驅(qū)動集成芯片）
?High side driver with non isolated Level Shifter
（自帶非隔離電平轉(zhuǎn)移高邊驅(qū)動電路）
?0 ~ 6V PWM inputs 0 6V PWM 輸入）
?Low Rdson and switching loss for higher system efficiency（低Rdson 、低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率）
?Fast Rise/Fall time （極快的上升 下降時間）
?Low Propagation Delay for high frequency operation（高頻工作時傳輸延時短）
?Small QFN package （小尺寸 QFN 封裝）
二.Switch Products (RF 開關(guān)產(chǎn)品）
?High Power, Low Insertion Loss and High Isolation Switches（大功率、低接入損耗、高隔離損耗射頻開關(guān)
?Only requires 5V(or 3V) supply; No Boost converter unlike pin diode （僅需 5V （或 3V ）供電；與 PIN 二極管相比無需 Boost 變換器）
?micro Amps current （微安量級電流)
?3x3, 4x4 & 5x5mm footprint 3 x 3 、 4 x 4 或 5 x 5 封裝）
三.Power Amplifiers（功率放大器)
?Broadband power amplifier （寬帶功放 ）(30MHz 2.5 GHz)
?Stand alone or integrated with Switch（單獨使用或與射頻開關(guān)集成）
?28V 36V Supply (28V 36V 供電）
?60 ~ 65% Efficiency (60~65% 效率）
主要產(chǎn)品型號：
1.氮化鎵功率元件
TTHB100NM
TTHB150NM
TP44100NM
TP44200NM
TP44400NM
TP44500NM
2.高功率射頻開關(guān)系列-對稱開關(guān)
TS7225K
TS7225FK
TS7224K
TS7224FK
TS7223K
TS7232K
TS7232FK
TS7242K
TS7242FK
TS7246K
TS7321K
TS7321FK
TS7322K
TS7421L
TS7423L
TS7441L
TS7521N
TS7523N
TS7021N
TS7023N
3.接收器保護開關(guān)系列 --（非對稱射頻開關(guān)）
TS7329K
TS7429L
TS7529N
TS7029N
4.低 RON 射頻開關(guān)系列/可調(diào)開關(guān)
TS63210
TS62200
TS63420
TS62410
5.功率晶體管 0.25 微米硅基氮化鎵耗盡型 HEMT
TA9110K
TA9210D
TA9310E
TA9410E
