無錫新潔能股份有限公司 一、公司歷史 8”5層光刻板制備溝槽MOS； 在12”同時(shí)量產(chǎn)溝槽、SGT、SJ、IGBT產(chǎn)品 首款1.2kV150A IGBT單管；光儲國產(chǎn)IGBT單管市占率 國內(nèi) 量產(chǎn)SJ MOS；國內(nèi) 量產(chǎn)SGT MOS；國內(nèi) 12” 月產(chǎn)超1萬片 國內(nèi) 量產(chǎn)8”IGBT；；國內(nèi) 量產(chǎn)900V SJ MOS；國內(nèi) 量產(chǎn)P型SGT MOS 國內(nèi) 量產(chǎn)650V 高頻FS-IGBT；國內(nèi) 量產(chǎn)TOLL大功率MOS；累積產(chǎn)出超200萬片 二、公司概況 ①公司人數(shù)340人，其中35%研發(fā)，33%制造。 ②省研究中心：江蘇省功率器件研究中心、NCE東南大學(xué)、NCE江南大學(xué)、省研究生工作站 ③179項(xiàng)專利：發(fā)明專利60項(xiàng)、美國專利1項(xiàng)、集成電路布局24項(xiàng)、軟件著作1項(xiàng) ④四大銷售中心：無錫銷售中心、深圳分公司、寧波分公司、香港子公司 ⑤2000+產(chǎn)品：MOSFET、IGBT器件及模塊、柵極驅(qū)動IC、SiC/GaN器件等 三、銷售額與市場分布 ①2022年IGBT銷售額同比增長400%、2022年汽車電子銷售額同比增長超700%、2016-2021年中國功率半導(dǎo)體十強(qiáng)企業(yè)、2021年國內(nèi)MOSFET市場份額占比排名第五 ②光伏逆變與儲能市場，國產(chǎn)IGBT器件 品牌 ③2022年銷售分布占比：工業(yè)及自動化（27%）、光伏儲能（25%）、消費(fèi)電子（15%）、汽車電子（14%）、5G安防及數(shù)據(jù)中心（13%）、智能短交通（6%） 四、公司概況 1、芯片代工：華虹宏力 戰(zhàn)略合作伙伴 “芯路十三載，風(fēng)雨同行” ① 四個代工廠，同時(shí)量產(chǎn) ②新產(chǎn)品開發(fā)成功率 的客戶（83%），華虹其他客戶（30~50%） ③市場淡季時(shí)，支持華虹填產(chǎn)能；旺季時(shí)，華虹優(yōu)先保證公司產(chǎn)能 2、產(chǎn)業(yè)鏈合作 ①封裝測試：捷敏、長電科技、日月光等10余家封裝合作伙伴，覆蓋47種封裝外形 3、研發(fā)能力 ①設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室：版圖（器件、電路、封裝）與仿真（工藝與結(jié)構(gòu)、電學(xué)、熱力學(xué)、電磁學(xué)、機(jī)械應(yīng)力學(xué)） ②測試實(shí)驗(yàn)室：規(guī)格書所有動靜態(tài)測試參數(shù) ③應(yīng)用分析實(shí)驗(yàn)室：電機(jī)驅(qū)動、電源、光伏與儲能、鋰電保護(hù)等 ④可靠性與失效分析：AEC-Q101，無損分析，破壞性實(shí)驗(yàn)分析 五、產(chǎn)品系列（總計(jì)2000+產(chǎn)品） ①Trench MOS——NMOS、PMOS（0.22A~350A） ②SGT MOS——NMOS、PMOS（5A~400A） ③功率集成器件——N+N、N+P、半橋、全橋 ④SJ MOS（1.8A~100A） ⑤功率集成模塊（PIM）：650V~1700V/15A～600A ⑥SiC MOS（650V~1200V/40A~100A） ⑦IGBT（7A~200A） 六、NCE超結(jié)MOSFET產(chǎn)品開發(fā)路線 ①Gen.1 量產(chǎn)時(shí)間:2010年 技術(shù)特點(diǎn)：650V Pitch 16um、平面柵結(jié)構(gòu) 產(chǎn)品電壓:500V/600V/650V 650V特征導(dǎo)通電阻：3.20 ?.mm2 產(chǎn)品系列：常規(guī)系列 ②Gen.2 量產(chǎn)時(shí)間:2013年 技術(shù)特點(diǎn)：650V Pitch 14um、平面柵結(jié)構(gòu) 產(chǎn)品電壓:650V/700V、800V/900V 650V特征導(dǎo)通電阻：2.65 ?.mm2 產(chǎn)品系列：常規(guī)系列 ③Gen.3 量產(chǎn)時(shí)間:2016年 技術(shù)特點(diǎn)：650V Pitch 11um、溝槽柵結(jié)構(gòu) 產(chǎn)品電壓:650V/700V、800V 650V特征導(dǎo)通電阻：1.90 ?.mm2 產(chǎn)品系列：常規(guī)系列、快恢復(fù)體二極管系列 ④Gen.4 量產(chǎn)時(shí)間:2021年 技術(shù)特點(diǎn)：650V Pitch 9um、電荷補(bǔ)償設(shè)計(jì)、開關(guān)特性優(yōu)化設(shè)計(jì) 產(chǎn)品電壓:500V/600V、650V/700V、800V/900V/1050V 650V特征導(dǎo)通電阻：1.40 ?.mm2 產(chǎn)品系列：常規(guī)系列、快恢復(fù)體二極管系列