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無錫新潔能股份有限公司 一、公司歷史 8”5層光刻板制備溝槽MOS； 在12”同時量產溝槽、SGT、SJ、IGBT產品 首款1.2kV150A IGBT單管；光儲國產IGBT單管市占率 國內 量產SJ MOS；國內 量產SGT MOS；國內 12” 月產超1萬片 國內 量產8”IGBT；；國內 量產900V SJ MOS；國內 量產P型SGT MOS 國內 量產650V 高頻FS-IGBT；國內 量產TOLL大功率MOS；累積產出超200萬片 二、公司概況 ①公司人數340人，其中35%研發，33%制造。 ②省研究中心：江蘇省功率器件研究中心、NCE東南大學、NCE江南大學、省研究生工作站 ③179項專利：發明專利60項、美國專利1項、集成電路布局24項、軟件著作1項 ④四大銷售中心：無錫銷售中心、深圳分公司、寧波分公司、香港子公司 ⑤2000+產品：MOSFET、IGBT器件及模塊、柵極驅動IC、SiC/GaN器件等 三、銷售額與市場分布 ①2022年IGBT銷售額同比增長400%、2022年汽車電子銷售額同比增長超700%、2016-2021年中國功率半導體十強企業、2021年國內MOSFET市場份額占比排名第五 ②光伏逆變與儲能市場，國產IGBT器件 品牌 ③2022年銷售分布占比：工業及自動化（27%）、光伏儲能（25%）、消費電子（15%）、汽車電子（14%）、5G安防及數據中心（13%）、智能短交通（6%） 四、公司概況 1、芯片代工：華虹宏力 戰略合作伙伴 “芯路十三載，風雨同行” ① 四個代工廠，同時量產 ②新產品開發成功率 的客戶（83%），華虹其他客戶（30~50%） ③市場淡季時，支持華虹填產能；旺季時，華虹優先保證公司產能 2、產業鏈合作 ①封裝測試：捷敏、長電科技、日月光等10余家封裝合作伙伴，覆蓋47種封裝外形 3、研發能力 ①設計實驗室：版圖（器件、電路、封裝）與仿真（工藝與結構、電學、熱力學、電磁學、機械應力學） ②測試實驗室：規格書所有動靜態測試參數 ③應用分析實驗室：電機驅動、電源、光伏與儲能、鋰電保護等 ④可靠性與失效分析：AEC-Q101，無損分析，破壞性實驗分析 五、產品系列（總計2000+產品） ①Trench MOS——NMOS、PMOS（0.22A~350A） ②SGT MOS——NMOS、PMOS（5A~400A） ③功率集成器件——N+N、N+P、半橋、全橋 ④SJ MOS（1.8A~100A） ⑤功率集成模塊（PIM）：650V~1700V/15A～600A ⑥SiC MOS（650V~1200V/40A~100A） ⑦IGBT（7A~200A） 六、NCE超結MOSFET產品開發路線 ①Gen.1 量產時間:2010年 技術特點：650V Pitch 16um、平面柵結構 產品電壓:500V/600V/650V 650V特征導通電阻：3.20 ?.mm2 產品系列：常規系列 ②Gen.2 量產時間:2013年 技術特點：650V Pitch 14um、平面柵結構 產品電壓:650V/700V、800V/900V 650V特征導通電阻：2.65 ?.mm2 產品系列：常規系列 ③Gen.3 量產時間:2016年 技術特點：650V Pitch 11um、溝槽柵結構 產品電壓:650V/700V、800V 650V特征導通電阻：1.90 ?.mm2 產品系列：常規系列、快恢復體二極管系列 ④Gen.4 量產時間:2021年 技術特點：650V Pitch 9um、電荷補償設計、開關特性優化設計 產品電壓:500V/600V、650V/700V、800V/900V/1050V 650V特征導通電阻：1.40 ?.mm2 產品系列：常規系列、快恢復體二極管系列