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區熔法有水平區熔和懸浮區熔，前者主要用于鍺提純及生長鍺單晶，硅單晶的生長則主要采用懸浮區熔法，生長過程中不使用坩堝，熔區懸浮于多晶硅棒和下方生長出的單晶之間，區熔法不使用坩堝，污染少，經區熔提純后生長的硅單晶純度較高，含氧量和含碳量低。高阻硅單晶一般用此法生長。森爍科技致力于為客戶提供各種硅片解決方案，針對客戶不同需求提供定制化服務，在重視客戶滿意度及質量服務至上，持續提升本公司經營績效，不斷改善創新，專注于半導體行業研發領域，研發創新科學技術，取得技術與品質皆優的產品，為客戶提供可定制高純的不摻雜FZ本征區熔半導體單晶硅片. 森爍科技經營范圍：2-12英寸調試級硅片（Dummy Wafer）,測試級硅片（Test Wafer），分立器件用硅、集成電路用硅、特種二極管和節能燈電子整流器用研磨硅片、紅外濾光片鍍膜用硅片。并可提供半導體硅片單面/雙面拋光、減薄、切割、MEMS等加工和定制服務。