二氧化硅片是指在硅片表面熱生長(zhǎng)一層均勻的介質(zhì)薄膜，用作絕緣、或者掩模材料。氧化工藝包括高溫干氧氧化、高溫濕氧氧化。公司采用進(jìn)口氧化設(shè)備、工藝實(shí)現(xiàn)氧化層均勻、準(zhǔn)確的生成。森爍科技致力于為客戶提供各種硅片解決方案，針對(duì)客戶不同需求提供定制化服務(wù)，在重視客戶滿意度及質(zhì)量服務(wù)至上，持續(xù)提升本公司經(jīng)營(yíng)績(jī)效，不斷改善創(chuàng)新，專注于半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)領(lǐng)域，研發(fā)創(chuàng)新科學(xué)技術(shù)，取得技術(shù)與品質(zhì)皆優(yōu)的產(chǎn)品。為客戶提供可定制高質(zhì)量半導(dǎo)體氧化硅片Sio2氧化層硅片，其高質(zhì)量品質(zhì)獲客戶一致好評(píng)，回購(gòu)率高且銷售國(guó)內(nèi)外各地，其參數(shù)規(guī)格如下： 外形尺寸：2-12英寸 型號(hào)：N/P型，本征（不摻雜） 直徑：50-300mm 總厚度：250-600um 氧化層厚度：50nm-2000nm(常規(guī)100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm) 平整度（TIR)＜3um 翹曲度（BOW）：≤15um TTV:≤15um,30um 粗糙度：＜0.5nm 電阻率：0.001-20000（Ω.cm) 晶向：100/110/111 級(jí)別：IC級(jí) 表面處理：?jiǎn)螔仯p拋，研磨 外形尺寸，型號(hào)，總厚度，氧化層厚度，電阻率，表面處理等均可定制