產品介紹
二氧化硅片是指在硅片表面熱生長一層均勻的介質薄膜，用作絕緣、或者掩模材料。氧化工藝包括高溫干氧氧化、高溫濕氧氧化。公司采用進口氧化設備、工藝實現氧化層均勻、準確的生成。森爍科技致力于為客戶提供各種硅片解決方案，針對客戶不同需求提供定制化服務，在重視客戶滿意度及質量服務至上，持續提升本公司經營績效，不斷改善創新，專注于半導體行業研發領域，研發創新科學技術，取得技術與品質皆優的產品。為客戶提供可定制高質量半導體氧化硅片Sio2氧化層硅片，其高質量品質獲客戶一致好評，回購率高且銷售國內外各地，其參數規格如下：
外形尺寸：2-12英寸
型號：N/P型，本征（不摻雜）
直徑：50-300mm
總厚度：250-600um
氧化層厚度：50nm-2000nm(常規100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)
平整度（TIR)＜3um
翹曲度（BOW）：≤15um
TTV:≤15um,30um
粗糙度：＜0.5nm
電阻率：0.001-20000（Ω.cm)
晶向：100/110/111
級別：IC級
表面處理：單拋，雙拋，研磨
外形尺寸，型號，總厚度，氧化層厚度，電阻率，表面處理等均可定制
