8英寸氧化硅片襯底單晶硅片 直徑 8英寸 生長(zhǎng)方式 直拉/區(qū)熔 導(dǎo)電類型 P型/N型/本征 晶圓方向 0 - 100 ohm.cm 拋光: 單面/雙面 總厚 720± 20微米 彎曲度 小于等于50微米 翹曲度 小于等于50微米 總厚度偏差 小于等于25微米 直徑 200± 0.5微米 晶格缺陷:無(wú) 電阻率 : 可定制 激光打標(biāo)： 可定制 particle: 小于等于0.3微米小于等于30