激光隱形切片機（Mahoh Dicing Machine ML200Plus）是世界的全干法無損傷切片設備。隱形切割采用全干工藝減少了生產過程中的清洗工序，同時解決了傳統切割技術在芯片分割過程中帶來的不可避免的機械及熱損傷問題，為晶圓切割開創了一個新局面。

     隱形切割在切割速度，產品性能及良率等諸多優點必將促使其成為芯片切割工藝持續發展的方向。

工作原理：

    激光隱形切割是將激光光束聚焦在工件內部，形成一個分割用的改質層，再對晶圓片施以外力將其分割成小片芯片的切割技術。

高效率高質量工作：

   ML 200 Plus可切割100um~700um厚度硅片，切割速度可達450mm/s,是刀片切割的8-10倍。

  ML 200 Plus切割過程中不會有水的參與，完全干燥環境下切割，可保證樣品的清潔度。

  ML200Plus切割痕跡只有幾個微米，切割道最小可留5-10um，而刀片切割痕跡能達到幾十微米，可見ML200Plus切割可以大大提高生產效率。

   ML200Plus可進行多邊形的切割。提高晶片利用率。

主要技術指標：

   樣品：Si材料

   樣品表面粗糙度：≤0.08um

   可加工樣品滿足條件：[樣品厚度（cm）/電阻率（Ω*cm）]<4.3

   樣品厚度：100-700um

   樣品尺寸：圓形 -- 2 inch ~ 8 inch；方形 -- 25 mm ~ 140 mm

   樣品托盤：6 inch~8 inch

   激光：波長：1080 nm

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