晶圓鍵合介紹：晶圓鍵合技術是將兩片晶圓相互結合，對于某些鍵合是利用表面原子相互反應，產生共價鍵，使兩者結為一體。也可以是利用中間介質的粘合性使兩個片子相互結合。

晶圓鍵合可以滿足微電子材料，光電材料及其納米等級微機電元件的制作和封裝需求，可結合不同晶格、不同種類的材料。在器件的物理特性，化學特性，電子特性都有非常廣闊的前景。

適用于實驗室研發，小批量生產的晶圓級鍵合提供服務。在工藝過程中對溫度和壓力可控制、實現動態降溫和快速升溫的功能、以及計算機控制的晶圓處理過程。

該鍵合機可以實現陽極鍵合，共晶鍵合，熔融鍵合等等，可以實現真空和氮氣環境下鍵合。同時鍵合機還兼容使用SUSS MA/BA掩模對準光刻機和開放式設計的夾具，實現對準鍵合。

技術指標：

Wafer size： 4inch，6inch

Maximumtemperature：500℃

Maximumpressure：4000mBar

Maximumvoltage：-2000V

Ultimatepressure：1×10-4 mBar

Overlay error：±5μm