廈門中芯晶研可提供2",3",4",6"碳化硅單晶片。
碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢(shì):更高的臨界雪崩擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的導(dǎo)熱系數(shù)和更寬的禁帶。碳化硅晶片具有3電子伏特(eV)的寬禁帶，可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。禁帶越寬，在高溫下的漏電流就越小，效率也越高。而導(dǎo)熱系數(shù)越大，電流密度就越高。SiC襯底具有更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，因而可以使用更薄的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。此外，SiC的摻雜濃度比硅高2倍，因此器件的表面電阻降低了，傳導(dǎo)損耗也顯著減少。