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廈門中芯晶研可提供2",3",4"磷化銦單晶片。
磷化銦(InP）是由銦和磷組成的二元半導體。它具有面心立方(zincblende)晶體結構，與大多數III-V半導體相同。磷化銦用于高功率和高頻電子設備，因為它相對于更常見的半導體硅具有優異的電子速度。磷化銦也可用于制造破紀錄的假晶異質結雙極晶體管，其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。