核心芯片采用ASOP-6封裝，集成高壓啟動(dòng)，內(nèi)置650V的功率MOS管，超低啟動(dòng)電壓和工作電流，待機(jī)功耗小于30mW，VDD工作電壓8-40V，適合寬輸出電壓應(yīng)用，準(zhǔn)諧振工作模式，集成EMI優(yōu)化技術(shù)，VDD過壓保護(hù)/欠壓保護(hù)，集成過熱保護(hù)，異常過流保護(hù)，輸出短路保護(hù)，輸出過載保護(hù)，軟起動(dòng)功能，輸入欠壓保護(hù)，前沿消隱等。