集成650V GAN FET，集成高壓啟動(dòng)，集成X電容放電，集成輸入過壓以及欠壓保護(hù)，超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗可以＜30mW，工作頻率三檔可調(diào)（500KHZ 300KHZ,140KHZ),大大減少變壓器的體積，超寬的VDD范圍，VVD電壓范圍9-112V，集成EMI優(yōu)化技術(shù)，外置輸出OVP保護(hù)，芯片采用DFN8*8封裝。