集成650V GAN FET，集成高壓啟動，集成X電容放電，集成輸入過壓以及欠壓保護，超低啟動和工作電流，待機功耗可以＜30mW，工作頻率三檔可調（500KHZ 300KHZ,140KHZ),大大減少變壓器的體積，超寬的VDD范圍，VVD電壓范圍9-112V，集成EMI優化技術，外置輸出OVP保護，芯片采用DFN8*8封裝。