IGBT擊穿電壓測(cè)試源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。
設(shè)備可應(yīng)用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
 
IGBT擊穿電壓測(cè)試源測(cè)單元 技術(shù)參數(shù)
Z大輸出功率：300W，3000V/100mA（不同型號(hào)有差異）；
輸出電壓建立時(shí)間：< 5ms；
輸出接口：KHV（三同軸），支持四線測(cè)量；
掃描：支持線性、對(duì)數(shù)及用戶自定義掃描；
通信接口：RS232、以太網(wǎng)；
保護(hù)：支持急停；
觸發(fā)：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸1U機(jī)箱；