IGBT擊穿電壓測試源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
設備可應用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
 
IGBT擊穿電壓測試源測單元 技術參數(shù)
Z大輸出功率：300W，3000V/100mA（不同型號有差異）；
輸出電壓建立時間：< 5ms；
輸出接口：KHV（三同軸），支持四線測量；
掃描：支持線性、對數(shù)及用戶自定義掃描；
通信接口：RS232、以太網(wǎng)；
保護：支持急停；
觸發(fā)：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸1U機箱；