MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導體器件，可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 電 路 當 中 。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有 輸 入 / 輸 出 特 性 曲 線、閾 值 電 壓 VGS(th)、漏 電 流 IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。功率mos管大電流I-V測試脈沖源表認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六

 

使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。

輸入/輸出特性測試

MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測得一條IDs~VGs關(guān)系曲線,對應(yīng)一組階梯漏源電壓可測得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關(guān)系即為直流輸出特性，對應(yīng)一組階梯柵源電壓可測得一簇輸出特性曲線。 根據(jù)應(yīng)用場景的不同，MOSFET器件的功率規(guī)格也不一致。針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, Z小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。






針對Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推 薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其Z大電壓 300V，Z大電流10A。





針對Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件， 推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，Z大電流高達100A。