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目前在“十四五”規劃的推動下，半導體集成電路領域正在快速成長，其中，第三代半導體器件憑借較大的禁帶寬度、高導熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優良的物理和化學穩定性等特點，備受企業和資本市場的熱捧。 據了解，國內不少封測企業已開始啟動并組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作，開始大力布局“三代半封測”領域。 TO-220/TO247系列的產品已經進入了試產階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規級標準的摸底測試驗證工作。TO-247-3L的性能達到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達到1200V、13A、160mΩ。 目前，在第三代半導體領域已經形成了3大產品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。 SiC功率器件：具有小而輕便，反向恢復快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高，擁有優越的性能與極高的工作效率。擁有4種封裝結構（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域。 GaN-DFN器件：具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢，使其尤適用于功率半導體器件，降低節能和系統總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統效率，可巨大化地提升充電器、開關電源等應用的充電效率，廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等。 功率模塊：第三代半導體功率模塊，采用自主創新的架構及雙面高能散熱設計，具有優越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢，其功率密度大，產品體型小，可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域，滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模塊產品可根據特殊功能需求進行模塊化定制開發。 順應半導體局勢變化，針對第三代半導體的老化測試方案，谷易電子相關TO系列高溫老化產品已全線上市。 1、TO系列高溫老化socket 該產品相較目前市場上的低端價格產品具有諸多優勢，其中可配合自動化設備，解放企業用工難的問題，再者，可耐溫高達200度，并且產品觸點為鍍金探針，可更換，老化座和老化板以螺絲的方形固定，避免了因為座子損壞而報廢老化板的風險 。同時該系列的老化座產品可過更大電流，更大功率,滿足企業各項嚴苛的試驗環境。