DIO82612同步整流快充芯片采用MHz級高頻同步整流，適用于當前火熱的氮化鎵（GaN）大功率快充應用，DIO82612同步整流快充芯片采樣獨有的專利技術：快速響應的比例驅動技術、自適應的開通時間屏蔽設計以及高可靠性的適配CCM模式的預關閉機制，DIO82612同步整流不僅具備非常好的匹配QR和ACF系統的高兼容性，同時更適于深度CCM模式，增強了安全工作穩定性。DIO82612同步整流快充芯片利用低熱阻封裝亦能實現高可靠性的差異化設計，有助于客戶快速實現更小尺寸、支持35-65W不同功率等級的USB PD快充解決方案。 DIO82612同步整流快充芯片產品特性： 1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓撲 2、MOSFET VDS采樣耐壓高達230 V 3、開關頻率： –DIO82612 為 800 kHz –DIO82611為1MHz 4、寬VIN范圍：5~30V 5、柵極驅動具有3A的灌電流和1A的拉電流能力 6、自適應Toff時間，提高抗噪能力 7、兼容高壓側或低壓側整流 8、低啟動電流：100μA（Typ.） 9、低待機電流：300μA（Typ.） 10、關斷傳播延遲：20ns（Typ.） 11、9.5V驅動鉗位電壓 DIO82612經過實驗室多方面驗證和嚴苛的老化考核，非常適合高功率密度中大功率快充應用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片適用30-65W快充方案，凱特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82612芯片報價，PD方案，30-65W PD快充方案，技術和現貨支持。