原裝64G NAND MTFC64GAKAEYF-4M IT存儲(chǔ)芯片 e.MMC MLC NAND閃存64 GB容量 2.7V至3.6V供電電壓 封裝：153-Ball LFBGA MTFC64GAKAEYF-4M存儲(chǔ)芯片是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。主存儲(chǔ)芯片又稱(chēng)內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存，或稱(chēng)記憶體）。 DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實(shí)是硬盤(pán)。 易失性存儲(chǔ)器（VM）：電源開(kāi)啟時(shí)資料存在，電源關(guān)閉則資料立刻流失（資料揮發(fā)掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）：電源開(kāi)啟時(shí)資料存在，電源關(guān)閉資料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM） 以 6 個(gè)晶體管（MOS）來(lái)儲(chǔ)存 1 個(gè)位（1bit）的資料，而且使用時(shí)“不需要”周期性地補(bǔ)充電源來(lái)保持記憶的內(nèi)容，故稱(chēng)為“靜態(tài)”（Static）。 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM） 以一個(gè)晶體管（MOS）加上一個(gè)電容（Capacitor）來(lái)儲(chǔ)存一個(gè)位（1bit）的資料，而且使用時(shí)“需要”周期性地補(bǔ)充電源來(lái)保持記憶的內(nèi)容，故稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”（Dynamic）。 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM） CPU與主機(jī)板上的主存儲(chǔ)器（SDRAM）存取資料時(shí)的“工作時(shí)脈”（Clock）相同，故稱(chēng)為“同步”（Synchronous）。 SRAM 比較快、 DRAM 比較慢；SRAM 比較貴、DRAM 比較便宜。 Flash（閃存）由于具備了重量輕、體積小、功率低等優(yōu)點(diǎn)，被應(yīng)用在各類(lèi)電子產(chǎn)品的硬盤(pán)上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。 NOR Flash 比 NAND Flash 更早導(dǎo)入市場(chǎng)。讀取的速度較快，但寫(xiě)入的速度慢、價(jià)格也比 NAND Flash 貴。 NAND Flash 寫(xiě)入的速度快、價(jià)格較低，故目前以 MTFC64GAKAEYF-4M NAND Flash 為普遍。 另外，固態(tài)硬盤(pán)SSD也是以 NAND 型 Flash 為基礎(chǔ)所建構(gòu)的儲(chǔ)存裝置。 易失性存儲(chǔ)分成 DRAM 和 SRAM。 SRAM 更快但價(jià)格更貴，所以主存儲(chǔ)器多用 DRAM、快取多用 SRAM。 Flash 又分成 NOR Flash 與 NAND Flash（ 64G MTFC64GAKAEYF-4M）。