普賽斯國產半導體參數分析儀特點和優勢：
單臺Z大3000V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；
10us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六

產品參數

項目
參數

集電極-發射極
Z大電壓.
3000V

Z大電流
1000A

精度
%

漏電流測試量程
1uA~100mA

柵極-發射極
Z大電壓.
300V

Z大電流
1A(直流)/10A(脈沖)

精度
%

Z小電壓分辨率
30uV

Z小電流分辨率
10pA




可測項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測量
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯國產半導體參數分析儀集多種測量和分析功能一體，可J準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流J準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。