GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態參數測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態參數，也被稱作直流參數，是用來評估半導體器件性能的基礎測試，也是器件使用的重要依據。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發人員設計器件的驅動電路具有重要的指導意義。

 
靜態測試方法，一般是在器件對應的端子上加載電壓或者電流，并測試其對應參數。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負壓。常見的靜態測試參數有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導通電阻、跨導、電流坍塌效應測試等。寬禁帶器件測試高電壓大電流源認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；





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