GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數(shù)測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來評估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發(fā)人員設(shè)計(jì)器件的驅(qū)動(dòng)電路具有重要的指導(dǎo)意義。

 
靜態(tài)測試方法，一般是在器件對應(yīng)的端子上加載電壓或者電流，并測試其對應(yīng)參數(shù)。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負(fù)壓。常見的靜態(tài)測試參數(shù)有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)、電流坍塌效應(yīng)測試等。寬禁帶器件測試高電壓大電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；





武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子股份有限公司的全資子公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

 

未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更Q面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。