SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠
時間:2016-03-02 21:54:53 來源:維庫電子市場網 點擊量:1551
新廠選址在南韓忠清南道省北部,與原海力士舊廠比鄰。據日經新聞報導,海力士已取得25萬平方公尺的土地面積,并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU),新廠預計將在2018年正式動工、2019年投產。
新廠確切的產品目前還不清楚,不過海力士某官員暗示應該為NAND 存儲器,若新廠全部投入生產NAND存儲器,海力士現有NAND存儲器產能將擴增超過兩倍。
此外,海力士亦宣布已開始在現有的清州廠量產先進的3D NAND 芯片,將于4月初開始出貨。其同業三星 電子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化,而日本東芝公司則計劃在本月開始出貨此類芯片。
海力士目前是全球 DRAM第二大廠,但若論NAND芯片,海力士只排第五,落后三星、東芝、 SanDisk與 美光。由于英特爾現正積極重返存儲器市場,且目標也是鎖定NAND芯片,預料未來競爭將更為激烈。
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