介電常數(shù)測(cè)試儀 國(guó)產(chǎn)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x  參數(shù)：
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
 
介電常數(shù)測(cè)試儀 國(guó)產(chǎn)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x 頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％
消耗功率：約25W；
凈重：約7kg；
外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
 
電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗的功率為
　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd
定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為
ω=σE2
在交變電場(chǎng)作用下，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。
D，E，J之間的相位關(guān)系圖
D，E，J之間的相位關(guān)系圖
如圖所示，從電路觀點(diǎn)來(lái)看，電介質(zhì)中的電流密度為
J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe
式中Jτ與E同相位。稱(chēng)為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱(chēng)為無(wú)功電流密度。
定義
tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ
式中，δ稱(chēng)為損耗角，tanδ稱(chēng)為損耗角正切值。
損耗角正切表示為獲得給定的存儲(chǔ)電荷要消耗的能量的大小，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時(shí)的重要評(píng)價(jià)參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱(chēng)為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高。
 
雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。 
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。 
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。 
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。 
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高 、幅度的高穩(wěn)定。 

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。