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  • 深圳市華諦誠電子有限公司
    主營產品:模塊,IGBT,快恢復,集成電路IC,MOS管
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    IXYS 場效應模塊MOS
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    產品介紹
    型號:IXFN32N120P 品牌:IXYS 封裝:SOT-227 年份:23+ 參數:32A1200V IXFN56N90P參數列表搜索代替器件 技術參數 極性N-CH 耗散功率830 W 閾值電壓6.5 V 漏源極電壓(Vds)1200 V 連續漏極電流(Ids)32A 上升時間62 ns 輸入電容(Ciss)21000pF @25V(Vds) 下降時間48 ns 工作溫度(Max)150 ℃ 工作溫度(Min)-55 ℃ 耗散功率(Max)1000W (Tc) 封裝參數 安裝方式Chassis 引腳數4 封裝SOT-227-4 外形尺寸 封裝SOT-227-4 物理參數 工作溫度-55℃ ~ 150℃ (TJ) 其他 產品生命周期Active 包裝方式Tube 符合標準 RoHS標準RoHS Compliant 含鉛標準Lead Free
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