型號：IXFN32N120P 品牌：IXYS 封裝：SOT-227 年份：23+ 參數(shù)：32A1200V IXFN56N90P參數(shù)列表搜索代替器件 技術(shù)參數(shù) 極性N-CH 耗散功率830 W 閾值電壓6.5 V 漏源極電壓(Vds)1200 V 連續(xù)漏極電流(Ids)32A 上升時間62 ns 輸入電容(Ciss)21000pF @25V(Vds) 下降時間48 ns 工作溫度(Max)150 ℃ 工作溫度(Min)-55 ℃ 耗散功率(Max)1000W (Tc) 封裝參數(shù) 安裝方式Chassis 引腳數(shù)4 封裝SOT-227-4 外形尺寸 封裝SOT-227-4 物理參數(shù) 工作溫度-55℃ ~ 150℃ (TJ) 其他 產(chǎn)品生命周期Active 包裝方式Tube 符合標(biāo)準(zhǔn) RoHS標(biāo)準(zhǔn)RoHS Compliant 含鉛標(biāo)準(zhǔn)Lead Free