DIO8352是高性能高頻QR反激控制器，應用于當前市場主流GAN氮化鎵中大功率高功率密度的PD快充充電器，滿足手機、筆記本電腦快充需求。DIO8352內(nèi)部集成X電容放電和高壓啟動，具備待機功耗；DIO8352內(nèi)實現(xiàn)全負載功率范圍的多重工作模式優(yōu)化，以及多重谷底鎖定功能加持，工作穩(wěn)定性和抗噪音性能得到顯著提升；DIO8352內(nèi)支持全負載范圍效率優(yōu)化，滿載效率可到94.5%，接近ACF的水平；DIO8352內(nèi)兼容Si MOS驅(qū)動技術與GAN氮化鎵直驅(qū)技術，系統(tǒng)設計可靈活配置。DIO8352提供完整的保護機制，滿足高可靠性系統(tǒng)設計。DIO8352滿足高功率密度設計，65W裸板功率密度高達2.3 W/cm3，真正實現(xiàn)超小體積應用。 DIO8352GAN氮化鎵大功率高功率密度PD快充特征： 1.可調(diào)過功率保護:短路保護 2.谷底鎖定降低噪聲:集成抖頻功能 3.集成灰電壓保護功能:可調(diào)頻率鉗位 4.輕載時快速頻率折疊:輕載時的Skip模式 5.內(nèi)置高壓啟動電路:集成 X-CAP 放電功能 6.過電流保護:過載保護:過壓保護:過溫保護 DIO8352GAN氮化鎵大功率高功率密度PD快充適配30W-120W應用，支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A固定電壓輸出，滿足能源之星六級能效標準。歡迎來到洽談!