DIO82611同步整流快充芯片采用MHz級高頻同步整流，適用于當前火熱的氮化鎵（GaN）大功率PD快充應用,支持24W,36W,45W,65W PD快充，DIO82611高頻同步整流快充芯片采樣獨有的專利技術：快速響應的比例驅動技術、自適應的開通時間屏蔽設計以及高可靠性的適配CCM模式的預關閉機制，DIO82611同步整流不僅具備非常好的匹配QR和ACF系統的高兼容性，同時更適于深度CCM模式，增強了安全工作穩定性。DIO82611高頻同步整流快充芯片利用低熱阻封裝亦能實現高可靠性的差異化設計，有助于客戶快速實現更小尺寸、支持35-65W不同功率等級的USB PD快充解決方案。 DIO82611高頻提供可簡化設計的集成功能，可在各種應用和頻率中發揮出色的性能。DIO82611高頻具備GAO效率特性，滿足能源之星 (Energy Star) VI級和行為準則 (CoC) 2級等嚴格能效標準，非常適用于極小體積的中大功率GaN快充應用場景。 DIO82611高頻同步整流快充芯片產品特性： 1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓撲 2、MOSFET VDS采樣耐壓高達230 V 3、開關頻率： –DIO82612 為 800 kHz TSOT23-6 –DIO82611為1MHz TSOT23-6 4、寬VIN范圍：5~30V 5、柵極驅動具有3A的灌電流和1A的拉電流能力 6、自適應Toff時間，提高抗噪能力 7、兼容高壓側或低壓側整流 8、低啟動電流：100μA（Typ.） 9、低待機電流：300μA（Typ.） 10、關斷傳播延遲：20ns（Typ.） 11、9.5V驅動鉗位電壓 DIO82611DIO82611同步整流快充芯片經過實驗室多方面驗證和嚴苛的老化考核，非常適合高功率密度中大功率快充應用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82611芯片適用30W-65W快充方案，凱特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82611芯片報價，PD方案，30W-65W PD快充方案，技術和現貨支持。