DIO82611同步整流快充芯片采用MHz級(jí)高頻同步整流，適用于當(dāng)前火熱的氮化鎵（GaN）大功率PD快充應(yīng)用,支持24W,36W,45W,65W PD快充，DIO82611高頻同步整流快充芯片采樣獨(dú)有的專利技術(shù)：快速響應(yīng)的比例驅(qū)動(dòng)技術(shù)、自適應(yīng)的開通時(shí)間屏蔽設(shè)計(jì)以及高可靠性的適配CCM模式的預(yù)關(guān)閉機(jī)制，DIO82611同步整流不僅具備非常好的匹配QR和ACF系統(tǒng)的高兼容性，同時(shí)更適于深度CCM模式，增強(qiáng)了安全工作穩(wěn)定性。DIO82611高頻同步整流快充芯片利用低熱阻封裝亦能實(shí)現(xiàn)高可靠性的差異化設(shè)計(jì)，有助于客戶快速實(shí)現(xiàn)更小尺寸、支持35-65W不同功率等級(jí)的USB PD快充解決方案。 DIO82611高頻提供可簡化設(shè)計(jì)的集成功能，可在各種應(yīng)用和頻率中發(fā)揮出色的性能。DIO82611高頻具備GAO效率特性，滿足能源之星 (Energy Star) VI級(jí)和行為準(zhǔn)則 (CoC) 2級(jí)等嚴(yán)格能效標(biāo)準(zhǔn)，非常適用于極小體積的中大功率GaN快充應(yīng)用場景。 DIO82611高頻同步整流快充芯片產(chǎn)品特性： 1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓?fù)? 2、MOSFET VDS采樣耐壓高達(dá)230 V 3、開關(guān)頻率： –DIO82612 為 800 kHz TSOT23-6 –DIO82611為1MHz TSOT23-6 4、寬VIN范圍：5~30V 5、柵極驅(qū)動(dòng)具有3A的灌電流和1A的拉電流能力 6、自適應(yīng)Toff時(shí)間，提高抗噪能力 7、兼容高壓側(cè)或低壓側(cè)整流 8、低啟動(dòng)電流：100μA（Typ.） 9、低待機(jī)電流：300μA（Typ.） 10、關(guān)斷傳播延遲：20ns（Typ.） 11、9.5V驅(qū)動(dòng)鉗位電壓 DIO82611DIO82611同步整流快充芯片經(jīng)過實(shí)驗(yàn)室多方面驗(yàn)證和嚴(yán)苛的老化考核，非常適合高功率密度中大功率快充應(yīng)用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82611芯片適用30W-65W快充方案，凱特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82611芯片報(bào)價(jià)，PD方案，30W-65W PD快充方案，技術(shù)和現(xiàn)貨支持。