降壓電源ic 降壓電源ic的架構在內部集成了高側和低側MOSFET，較低的RON可以優化產品的輸出效率。降壓電源ic芯片通過使用內部補償電壓控制高側MOSFET的關斷和低側MOSFET的開啟，實現對電流模式的控制。在每個周期中，降壓電源ic開關電流會與由內部補償電壓產生的參考電流進行比較。當峰值開關電流與參考電流相交時，高側開關關閉。與此同時，當低側MOSFET打開時，傳導電流會受到內部電路監測。降壓電源ic正常運行期間，低側MOSFET為負載提供源極電流。在每個時鐘周期結束時，將低側MOSFET源極電流與內部設定的低側源極電流限值進行比較。當電感谷電流超過低側源電流限值，在下一個周期內高側MOSFET不會導通，而低側MOSFET繼續保持導通。當電感峰值電流低于500mA時，芯片會認為負載是輕載且能根據負載電流情況逐漸降低開關頻率，從而實現輕載 降壓電源ic憑借具備出色的抗過載性能、、小尺寸封裝等諸多優勢，正成為國產高性價比模擬芯片的物料。