半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括: 半導(dǎo)體功率器件。



何為電性能測(cè)試？半導(dǎo)體分立器件該如何進(jìn)行電性能測(cè)試？
半導(dǎo)體分立器件電性能測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng),通傳統(tǒng)的分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬用表、電壓源、電流源等。
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是“五合一”數(shù)字源表(SMU)，集多種功能于一體。


J準(zhǔn)、穩(wěn)定、G效的電性能測(cè)試方案可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具，大大提高測(cè)試效率。此外,基于核心的高精度數(shù)字源表，普賽斯還提供適當(dāng)?shù)睦|輔件和測(cè)試夾具，實(shí)現(xiàn)安全、可靠的測(cè)試。
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