可測(cè)參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試
　　可測(cè)器件： IGBT，二極管，氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等
　　測(cè)試頻率：1MHz
　　測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V，Vgs ±25V
　　信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV
　　Rg 范圍：≤300Ω
　　測(cè)試精度：
　　華科智源柵極電阻/柵極電容測(cè)試儀特點(diǎn)：
　　1，測(cè)試速度快。
　　2，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。
　　3，測(cè)試精度高，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定。
　　4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形，可直接生成規(guī)格書(shū)用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件。