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氮化鎵(GaN)材料在快速充電技術中的應用主要基于其兩個基本機制：減少功率損耗和縮小元件尺寸。 氮化鎵具有高電子遷移率，可以有效地處理高頻操作，此特性在快速充電技術中至關重要，其中高頻開關對于功率轉換是必需的。同時，氮化鎵具有高擊穿電壓，可以處理高電壓電平而不會擊穿，此屬性在高壓常見的電力電子應用中特別有用。另外，氮化鎵具有優異的導熱性，這確保了它且有效地散熱，此特性在快速充電技術中很重要，充電過程中產生的熱量會降低效率并損壞組件。與硅等傳統材料相比，氮化鎵對電流的電阻更低，這一特性導致充電過程中的功率損耗更低，產生的熱量更少，從而實現更的充電。