產(chǎn)品庫

光學(xué)鍍膜設(shè)備廠家定制，耐用的雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備市場價格， 恒譽真空奉行“以服務(wù)贏市場、以品質(zhì)贏客戶”的經(jīng)營宗旨，努力為客戶創(chuàng)造有價值的雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備。公司健全質(zhì)檢系統(tǒng)，優(yōu)化生產(chǎn)流程，努力為客戶打造。本公司定位為親近客戶型企業(yè)，雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備在鍍膜用途方面應(yīng)用良好，在市場營銷、設(shè)計開發(fā)及公司運營過程中皆以需求群體需求為導(dǎo)向，滿足并爭取顧客的需求和期望。通過技術(shù)創(chuàng)新為顧客創(chuàng)造價值，為客戶提供差異化的產(chǎn)品和服務(wù)。

恒譽真空主要從事雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)，創(chuàng)新技術(shù)，規(guī)范管理，目前已經(jīng)成為生產(chǎn)雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備的主流企業(yè)之一。我公司供應(yīng)的產(chǎn)品主要銷往全國;廣東、肇慶，產(chǎn)品性能優(yōu)異，受到需求群體的一致好評。公司秉持著“用戶至上，重視需求”的理念，精益求精、不斷創(chuàng)新，以良好的產(chǎn)品品質(zhì)，完善的售后服務(wù)回報廣大用戶。

恒譽真空自創(chuàng)立之日起，就十分重視服務(wù)體系的建立和對服務(wù)團隊的培養(yǎng)。經(jīng)過多年的發(fā)展，恒譽真空已經(jīng)擁有完善的服務(wù)體系，為客戶提供周全有效的服務(wù)和應(yīng)用支持。我公司的雙門光學(xué)鍍膜設(shè)備主要采用批發(fā);零售;的方式銷售，通過陸運;公路運輸?shù)确绞桨旬a(chǎn)品送到客戶手中。我們不斷，追求，愿能與客戶及合作伙伴共同成長。

光學(xué)鍍膜設(shè)備廠家定制，

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術(shù)概念，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶。如半導(dǎo)體膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮氣或氧氣。當(dāng)金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實際操作困難。主要問題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽極，真空腔體表面，以及靶源表面。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。德國萊寶發(fā)明的孿生靶源技術(shù)，很好的解決了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽極，從而消除陽極表面氧化或氮化。冷卻是源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉(zhuǎn)為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達(dá)一千度以上從而溶化整個靶源。

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