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好的光放大器-半導體光放大器價位-半導體光放大器價格

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半導體光放大器和半導體激光器在原理上并無本質區別，都是在半導體增益介質中對光子引起的受激輻射復合的光放大，只是兩者光子來源上的差別。半導體光放大器的基礎。然而，與半導體激光器作為激光源不同，半導體光放大器是對外來光信號的放大，在性能要求上存在較多差別。例如，作為光放大器，總希望外來光信號能從光放大器獲得盡可能高的凈增益和高的飽和輸出功率;因光放大器既有輸入光信號，又需將經放大的光信號輸出，因而對光放大器有噪聲指數的要求，等等。

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光放大器就是光纖通信系統中能對光信號進行放大的一種子系統產品。

光放大器的原理基本上是基于激光的受激輻射，通過將泵浦光的能量轉變為信號光的能量實現放大作用。光放大器自從1990年代商業化以來已經深刻改變了光纖通信工業的現狀。

隨著新一波可穿戴式及物聯網經濟的發展，越來越多的探測器，感應器，小型低功率電子元件受到越來越多的關注。這些光電元件中，半導體光放大器（SOA）技術起到了很大的作用。新型半導體光放大器（SOA）對于實現相應元件的小型化，低能耗，率都是至關重要的。接下來，本文將主要為大家講述半導體光放大器（SOA）的優勢以及如何應用。

在10G/ 40G/ 100G的傳輸系統中，常規布局遠距離接收端接收不到光信號，如下圖。此時可以在1310nm多路波分復用器與LR4的光模塊之間添加半導體光纖發大器（SOA），放大1310nm波段，可以實現高帶寬信號的遠距離傳輸，半導體光放大器（SOA）的工作原理是由驅動電流將半導體載流子轉化為反轉粒子，使得注入種子光幅度放大，并保持注入種子光的偏振、線寬和頻率等基本物理特性。隨著工作電流的增加，輸出光功率也成函數關系增長。目前常見和成熟的技術有直波導半導體光放大器和寬波導半導體光放大器。

SOA(Semi-conductor Optical Amplifier)半導體光放大器是采用應變量子阱結構的PN結器件，外部正向偏壓形成粒子數反轉，外部光進入后導致受激輻射，形成光信號放大。

半導體光放大器原理

優點：具有支持高速、高帶寬、低功耗、高增益、小型化、易于集成。

缺點：不同波長通道間存在交叉增益調制與非線性相互作用，偏振敏感性，增益飽和性。

與EDFA（摻鉺光纖放大器）相比，商用器件部分指標弱于EDFA，但SOA仍有EDFA無法替代的特性，如其可支持O-band（1260~1360）, E-band（1360~1460）, L-band（1460~1530）的放大，且有成本低，體積小易集成等特點，在新基建時代，SOA將會在接入網和城域網邊緣，以及光纖傳感領域獲得大規模應用。

一種半導體光放大器集成激光器，包括振蕩具有包括在增益帶中的波長的激光的半導體激光振蕩器部分和放大從半導體激光振蕩器部分輸出的激光的半導體光放大器部分。半導體激光振蕩器部分和半導體光放大器部分具有一個共用的p?i?n結構，該共用的p?i?n結構包括活性層、與活性層分開設置的包覆層、以及形成在包覆層中的共用功能層，并且所述共用功能層包括在半導體激光振蕩器部分中反射具有在增益帶內的波長的光的第一部分和在半導體光放大器部分中透射具有在增益帶內的波長的光的第二部分。

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