產(chǎn)品庫

華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。 半導體器件在工作時，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。 華科智源浪涌電流試驗儀的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。浪涌電流試驗臺，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點： 1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設備，對設備的電氣性能要求高。 2、該試驗臺的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。 3、該試驗臺采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。 4、該套測試設備主要由以下幾個單元組成：    a、浪涌測試單元    b、阻斷參數(shù)測試單元    c、計算機控制系統(tǒng) 二、技術條件 2.1 環(huán)境要求： 1、環(huán)境溫度：15—40℃ 2、相對濕度：存放濕度不大于80% 3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa 4、海拔高度：1000米以下 5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波 6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz 7、電源功率：小于1.5KW 8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9 2.2主要技術指標： 1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等 2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%   浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波； 3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等 4、測試頻率：單次；重復 5、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V； 6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%； 7、反向電壓頻率：DC直流 8、各種模塊均手動連接，并以單管形式測試。 9、采用計算機控制、采樣及顯示；