耐高溫耐磨氧化鋁陶瓷圓片信息，東莞劃算的氧化鋁陶瓷圓片供銷， 東莞市礫石實業投資有限公司，自2009-08-05成立以來，一直致力于為用戶提供有品質的氧化鋁陶瓷圓片，我們的氧化鋁陶瓷圓片在全國各地擁有龐大的銷售市場，并深得工業陶瓷使用人群的青睞。憑借自身的實力以及廣闊的銷售市場，良好的售后服務，公司在絕緣材料行業領域中一直處于穩固地位。

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靶材的主要性能要求

純度

純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質含量

靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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