產(chǎn)品庫

廈門韞茂ALD設備 一、雙腔室高真空等離子體ALD設備核心參數(shù)： 產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD） 襯底尺寸：Ф200mm 工藝溫度：RT-500±1oC 前驅(qū)體數(shù)：可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅(qū)體 重量：300KG 尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm 均勻性：均一性<1% 二、雙腔室高真空等離子體ALD設備應用原理分析： 原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。 ALD設備 http://www.xmyunmao.com/Products-37577389.html https://www.chem17.com/st522215/product_37577389.html