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拉單晶專用鎵摻雜劑（Ga Dopant） ■ 鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質軟，淡藍色光澤。熔點29.78℃。沸點2403℃。具有不揮發、不燃、不爆炸等特性。是硅半導體摻雜的重要元素。 ■ 光衰減率≤2％屬于檢測范圍內，可視為無衰減。正如拉制無位錯單晶并非是零位錯的，而是位錯密度≤3000CM-2的單晶可視為無位錯的。 ■ 用鎵代替硼作為摻雜劑來拉制太陽電池單晶，可以提高電池的轉換效率和降低光衰減問題（因為避免了硼氧復合體－嚴重影響光衰減率的深能級的產生）。 ■ 本公司提供進口拉單晶專用鎵摻雜劑，包括以下品種： ■ 7N進口拉單晶專用鎵摻雜劑 ■ 8N進口拉單晶專用鎵摻雜劑