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鈦 靶 一、牌號 國內牌號：TA1、TA2、TA7、TA9、TA10、TC11 。 美標牌號：GR1、GR2、GR7、GR12。 二、靶材的主要性能要求: （1）純度 純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。 （2）雜質含量 靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。 （3）密度 為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。 （4）晶粒尺寸及晶粒尺寸分布 通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。 三、加工工藝 鍛造、軋制。 四、表面 車光、倒角。表面清潔光滑，無起皮，氣孔，裂紋等缺陷。 五、規格 Φ100*40，Φ98*40，Φ95*45，Φ90*40，Φ85*35，Φ65*40較常見，其他規格可按客戶要求制作。 六、執行標準 國標：GB/T 16598，GB/T2965。 美標：ASTM B381,ASTM F67,ASTMF136, ASTM B348。