我國成功研制重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料

時(shí)間：2015-07-14 15:50:11 來源：中國機(jī)械網(wǎng) 點(diǎn)擊量：234

    
　　我國成功自主研制了4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料，為我國新一代雷達(dá)系統(tǒng)的研制奠定基礎(chǔ)。
　　
　　近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織的專家認(rèn)為，該成果國內(nèi)，已達(dá)到水平。

　　碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大，一直是國內(nèi)空白，上只有少數(shù)國家掌握該技術(shù)，并一直對(duì)我國進(jìn)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)。

　　據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場將在未來幾年推動(dòng)碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達(dá)系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。

　　項(xiàng)目研發(fā)者、山東天岳公司負(fù)責(zé)人表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料，它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。