IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET

時間：2015-06-27 10:28:18 來源：本站 點擊量：229

　　整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來達成以上目標。

　　上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。

　　IBM Research功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家Jean Fompeyrine表示：“我們以塊狀矽而非SOI晶圓片著手，首先放上氧化層，然后做一個溝槽通過下面的矽晶圓;接著以其為根源長出砷化銦鎵──這是可制造性非常高的程序。”