三星、臺(tái)積電、Intel決戰(zhàn)10nm制程

時(shí)間：2015-06-01 15:52:33 來源：中國電子元器件網(wǎng) 點(diǎn)擊量：204

　　在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺(tái)積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。

　　根據(jù)kitguru網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)指出，三星在稍早于舊金山舉辦的固態(tài)電路大會(huì) (ISSCC)中展示以10nm FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的300mm晶圓，顯示未來將能藉此技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。三星方面表示，預(yù)計(jì)將在2016年年底前以10nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器，預(yù)期將在處理器尺寸進(jìn)一步精簡，并且再次降低整體電功耗與散熱表現(xiàn)，估計(jì)將可應(yīng)用在新款Exynos系列處理器，以及新款iPhone使用處理器。

　　而臺(tái)積電方面則是在近期說明16nm FinFET技術(shù)趨于穩(wěn)定，并且可進(jìn)入量產(chǎn)應(yīng)用階段，預(yù)計(jì)今年第三季內(nèi)將可投入產(chǎn)能。除此之外，為了進(jìn)一步追趕三星、Intel等競爭對(duì)手，臺(tái)積電也傳出將投入100億美元資金，藉此確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預(yù)期將進(jìn)一步與三星抗衡，并且協(xié)助ARM盡早進(jìn)入10nm處理器產(chǎn)品發(fā)展。

　　至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)，同時(shí)以此技術(shù)生產(chǎn)的Cannonlake平臺(tái)系列處理器，也將因?yàn)镮ntel制程技術(shù)精進(jìn)而順利在2016年第三季內(nèi)推出。